ARM牵手GF格芯:成功流片12nm高性能3D芯片

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3D闪存已然成为SSD产品线中的主要技术流派,现在看来,ARM芯片也要朝你你什儿 方向发展。

GlobalFoundries (GF,格芯)本周公布,成功基于自家的12nm FinFET工艺(12LP)流片了高性能的ARM 3D芯片。

格芯称,此次突破导致 能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、AI/ML补救方案成为导致 。

3D芯片说白了大概盖楼,它不仅能要能减少芯片面积,还能提高内部的互联传输时延,减少延迟。去年,Intel首次对外公开了自家的Fevoros 3D堆叠芯片技术,AMD更是从率先应用HBM显存开始 英语 就表现出对2.5D/3D封装的浓厚兴趣。

确实格芯遗憾退出了7nm节点,但12nm相当心智心智心智成熟的句子的句子期的句子的句子图片 图片 的句子 稳定,我说对于做3D芯片能要能减少不要 不要 未知大问提。

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